Бондаренко Дмитрий
28-11-2016, 14:07
Усовершенствованный чипсет Snapdragon 835 применят в Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6
В официальных сообщениях от компаний Qualcomm и Samsung проскальзывали заявления о совместной работе над 8-ядерным чипсетом Snapdragon 835 для нового смартфона от южнокорейской фирмы. Этот чип получил довольно-таки мощный апгрейд по сравнению со своим не менее продвинутым предшественником Snapdragon 821.
Использование 10-нм технологического процесса FinFET позволит увеличить производительность устройства на 27%, при этом снизит потребление энергии на 40%. В этой разработке будет использоваться функция Quick Charge 4.0. Рабочая частота чипа может доходить до 3 ГГц, модель оснащена модемом X16 LTE, графикой Adreno 540 и поддерживает память UFS 2.1, 4K-дисплеи и двойные камеры.Предполагалось, что на рынок модель выйдет в начале 2017 года. Аналитик IHS Кевин Вонг на интернет-ресурсе Weibo опубликовал информацию, что новый чипсет будет применен в международных гаджетах Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi6. Эти модели будут представлены в марте наступающего года. Сообщается, что такой поворот дел был вызван невозможностью выпуска нового девайса в этом году. Поэтому будут предприняты максимальные усилия для максимального технического оснащения этих телефонов новейшими разработками и опциями. Ожидается, что они будут лучше таких моделей, как Xiaomi Mi 5s и Mi 5s Plus.
