11-02-2026, 14:01
Intel представила новый прототип памяти ZAM
На недавнем мероприятии Intel Connection Japan 2026 компания продемонстрировала новый физический прототип памяти, названный Z-Angle Memory (ZAM). Этот проект был разработан в сотрудничестве с дочерней компанией SoftBank — Saimemory и направлен на то, чтобы заменить текущий стандарт HBM, предлагая решение для термических проблем, с которыми сталкиваются современные ускорители для искусственного интеллекта. Хотя Intel долгое время не ассоциировалась с производством оперативной памяти, за исключением недолгого опыта с Optane, участие таких людей, как Джошуа Фрайман (CTO Intel Government Technologies) и Макото Онхо (CEO Intel Japan), на презентации подчеркивает серьёзность намерений компании в этом направлении.
ZAM призвана удовлетворить растущий спрос на высокоскоростную память, не создавая при этом чрезмерного тепла в серверных помещениях. Основное новшество, которым гордится Intel, заключается в уникальной архитектуре Z-Angle. В отличие от HBM, где соединения (TSV) проходят вертикально через весь стек, ZAM использует наклонную каскадную топологию соединений. Это, на первый взгляд, незначительное изменение в конструкции приводит к важным улучшениям в работе чипов: Если результаты, озвученные на конференции, окажутся реальными, то у таких компаний, как Samsung и SK hynix, появятся серьезные причины для беспокойства. Intel уверяет, что память ZAM будет потреблять на 40-50% меньше энергии по сравнению с существующими решениями. Вдобавок, эта технология позволит упаковать до 512 ГБ памяти в одном чипе, что является значительным достижением.
На данный момент роль Intel в проекте ZAM ограничивается «начальными инвестициями и стратегическими решениями», однако появление альтернативы HBM с улучшенными характеристиками может изменить расстановку сил на рынке DRAM, особенно в условиях растущего спроса на память для ИИ. Выход Intel на рынок высокопроизводительной памяти с технологией ZAM сигнализирует о потенциальных переменах в индустрии. Если заявленные показатели по энергоэффективности и плотности окажутся верными, это может стать серьезным вызовом для лидирующих позиций Samsung и SK hynix, ускоряя тем самым инновации и, возможно, снижая цены на ключевые компоненты для дата-центров.
